1/9/10

Toshiba sắp sản xuất bộ nhớ flash trên công nghệ 24mm


Toshiba cho biết họ đã bắt đầu đưa những con chip flash mới nhất đựa trên công nghệ 24nm vào quá trình sản xuất lớn. Những con chip này là loại 2 bit nhớ trên 1 cell (MLC), có tổng dung lượng 64 gigabit (Gb), tức là 8 gigabyte(GB) chỉ trong 1 con chip đơn duy nhất. Những con chip này sẽ được tối ưu hóa để sử dụng trong điện thoại di động hay máy quay video kỹ thuật số. Hiện vẫn chưa rõ ngày những sản phẩm sử dụng con chip này được bán ra.
Ngoài ra thì Toshiba cũng đang có kế hoạch sản xuất các con chip 3 bit nhớ trên 1 cell (TLC), nâng tổng dung lượng trên 1 con chip lên 32GB và sử dụng công nghệ Toggle DDR để tăng tốc độ truyền tải dữ liệu.

Sẽ rất khó để diễn giải một cách dễ hiểu về các công nghệ trên chip nhớ flash, với những ai chưa biết thì chúng ta hãy cùng nghiền ngẫm nhé, mọi thông tin và ngôn ngữ đã được đơn giản hóa đến mức tối đa.

Trước tiên là về phần công nghệ 24nm, những ai quan tâm đến bộ xử lý máy tính đều biết rằng công nghệ chế tạo càng nhỏ, chip sẽ càng nhỏ hơn, tiết kiệm diện tích, tiết kiệm điện hơn, giảm giá thành trong khi hiệu năng xử lý (mật độ lưu trữ đối với nhớ flash) lại được tăng lên nếu các điều kiện khác không thay đổi. Tiến trình 24nm là một trong những tiến trình tiên tiến nhất hiện nay, trước đây thì mới chỉ có liên doanh Intel và Micron(nhà sản xuất đằng sau 2 thương hiệu danh tiếng Crucial/Lexar) đạt đến 25nm còn Samsung công bố thử nghiệm 20nm.

Chip nhớ flash thường có 2 loại đã được thương mại hóa là SLC (Single Level Cell) và MLC (Multi level cell). Chip SLC tất nhiên sẽ nhanh hơn rất nhiều, tiếp kiệm điện hơn và dung lượng lưu trữ cũng phần nào bị hạn chế và cũng đắt tiền hơn. Tuy nhiên, đây lại là loại flash đáng tin cậy nhất. Chip MLC có thể lưu trữ được 2 bit nhớ trên 1 cell, sử dụng nhiều level khác nhau nên có tên là multi level, mỗi cell nhớ có 4 stages. Kiểu lưu trữ này sẽ dễ bị lỗi hơn nhưng giá lại rẻ hơn rất nhiều. Hầu hết các ổ cứng SSD mà chúng ta dùng ngày nay đều là loại MLC, rất hiếm SLC.

Tiếp đến là công nghệ TLC vừa được Intel/Micron công bố và Toshiba là người tiếp theo áp dụng. TLC là Triple Level Cell. Thật ra ngay từ cái tên thì ta đã thấy TLC đã không hấp dẫn lắm, nó có nghĩa là 3 bit nhớ trên một cell, đồng nghĩa với dung lượng lưu trữ được tăng cao tỷ lệ phát sinh lỗi cũng sẽ nhiều hơn. Tất nhiên, các nhà sản xuất phải bảo đảm khi bán ra thị trường nên chúng ta cũng không phải lo lắng quá.

Cuối cùng là công nghệ Toggle DDR, Double Data Rate. Bạn có nhớ vài năm trước, khi mà RDRAM đắt tiền tốc độ cao và SDRAM rẻ tiền tốc độ chậm còn đang phổ biến, có 1 loại bộ nhớ RAM mới ra đời đã dung hòa được ưu điểm của cả 2 công nghệ, tốc độ cao trong khi giá không chênh nhiều so với SDRAM, đó chính là DDR RAM, loại bộ nhớ mà chúng ta vẫn đang sử dụng ngày nay. DDR RAM có xung nhịp tăng gấp đôi so với SD RAM, nếu mình nhớ không nhầm thì lúc đó SD RAM là 133MHz còn DDR là 266MHz. Quy tắc tương tự RAM đã được đem lên bộ nhớ flash, tuy mang tiếng gấp đôi (double) nhưng các bộ nhớ flash dùng công nghệ Toggle DDR cho tốc độ tăng từ 2 đến 3 lần so với truyền thống. Hiện chưa có ổ SSD nào dùng DDR.

Nguồn: Toshiba



anh kiem tine online

Không có nhận xét nào:

Đăng nhận xét

Lưu ý: Chỉ thành viên của blog này mới được đăng nhận xét.