Samsung công bố bộ nhớ RAM LPDDR2 băng thông siêu rộng

Samsung hôm qua cho biết công ty đã phát triển thành công một loại bộ nhớ mới với băng thông siêu rộng dành cho điện thoại thông minh và máy tính bảng. Theo Samsung, bộ nhớ RAM LPDDR2 (Low Power Double Data Rate 2) mới có băng thông lớn nhờ vào số lượng pin trên chip đã được tăng hơn 16 lần, từ 32 lên 512 pin. Qua đó, bộ nhớ có hiệu suất hoạt động cao hơn gấp 8 lần so với bộ nhớ DDR thông thường, tốc độ truyền dữ liệu tăng từ 1,6GB/s lên 12,8GB/s và băng thông cũng rộng hơn 4 lần so với các bộ nhớ LPDDR2 khác.
Mặc dù hiệu suất hoạt động cao hơn nhưng Samsung cho biết công ty cũng đã cải tiến bộ nhớ nhằm giảm bớt mức tiêu thụ năng lượng đến 87%.

Công nghệ sẽ được Samsung áp dụng trước tiên với loại chip 1-gigabit (128MB) sản xuất trên quy trình 50 nm. Samsung vẫn chưa tiết lộ thời điểm phân phối dòng chip nhớ DRAM mới nhưng theo kế hoạch dài hạn thì chip sẽ được mở rộng sản xuất trên quy trình 20 nm với phiên bản 4-gigabit (512MB), sử dụng công nghệ băng thông rộng tương tự và sản phẩm nhiều khả năng sẽ xuất hiện vào năm 2013.

Theo: Electronista